[发明专利]一种锗基红外硫系玻璃的熔制工艺有效
| 申请号： | 201810652493.5 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108585483B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陶海征;阮博文 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C03C3/32 | 分类号： | C03C3/32;C03B5/235;C03B25/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗砷硒玻璃的熔制工艺，以单质Se、As和化合物GeAs为原料，抽真空后进行密管合成，经熔封加热、融化、均化、退火步骤，得到锗基红外硫系玻璃。本发明使用化合物GeAs代替单质Ge，最高熔炼温度大幅降低，可有效减少因硫系玻璃熔体与容器反应形成的光学吸收杂质，提升硫系玻璃光学质量的同时，可有效降低制备能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 玻璃 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种锗基红外硫系玻璃的熔制工艺，其特征在于它以单质Se、As和化合物GeAs为原料，抽真空后进行密管合成，经熔封加热、融化、均化、退火步骤，得到锗基红外硫系玻璃。
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