[发明专利]一种具有超高平坦度的金属镍薄膜的表面处理方法在审
| 申请号： | 201810651046.8 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108754449A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王红军;朱媛媛 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/14;C23C16/56;C23C16/06;C22F3/00 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超高平坦度的金属镍薄膜的表面处理方法。在现有技术中，很难获得均方根粗糙度低于1nm的金属镍薄膜。本发明以沉积在半导体基底上的镍金属薄膜为处理对象，首先对金属镍薄膜的表面进行清洗后放入样品腔室；再对样品腔室、电离腔室以及喷嘴腔室的本底抽真空，开启电离单元的阴极电压对薄膜进行预处理；选择气体源，用喷嘴来产出气体团簇，对团簇气体进行电离和加速，并采用磁场对被电离的气体团簇进行质量分离，然后采用聚焦电压对其进行聚焦来对金属镍薄膜表面进行辐照轰击，当辐照剂量在1×106离子束/平方厘米，金属镍薄膜的均方根粗糙度可以下降到0.67nm。本发明对金属镍薄膜的质量没有损害，实验条件重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 金属镍薄膜 电离 均方根粗糙度 气体团簇 样品腔室 平坦度 预处理 半导体基底 镍金属薄膜 辐照 处理对象 辐照剂量 聚焦电压 喷嘴腔室 平方厘米 实验条件 阴极电压 质量分离 喷嘴 抽真空 电离腔 离子束 气体源 放入 团簇 薄膜 沉积 磁场 轰击 清洗 聚焦 损害 | ||
【主权项】：
1.一种具有超高平坦度的金属镍薄膜的表面处理方法，其特征在于：采用气体团簇离子束技术对沉积在半导体基底上的金属镍薄膜进行平坦化处理。
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