[发明专利]一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片

摘要

本发明公开了一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片，包括从上至下依次叠压的第一至第五层膜片，第一至第三层膜片均为YSZ膜片，第四层膜片和第五层膜片为Al2O3膜片，第三层膜片和第四层膜片之间叠压有过渡层，所述过渡层由上过渡层、中间过渡层、下过渡层从上至下依次叠压而成，上过渡层、中间过渡层、下过渡层均为采用流延成型工艺制备的掺Al2O3的YSZ膜片，其中上过渡层的主体材料中Al2O3的掺杂量为15％～25％，中间过渡层的主体材料中Al2O3的掺杂量为40％～55％，下过渡层的主体材料中Al2O3的掺杂量为75％～85％。本发明膜片之间的烧结匹配性良好，明显提高了加热器层的绝缘性能，无漏电现象。

主权项

1.一种氮氧传感器陶瓷芯片的膜片，包括从上至下依次叠压的第一层膜片(1)、第二层膜片(2)、第三层膜片(3)、第四层膜片(5)以及第五层膜片(6)，第五层膜片(6)上通过丝网印刷技术印刷有加热电极(7)，第一层膜片(1)、第二层膜片(2)、第三层膜片(3)均为YSZ膜片，其特征在于：所述第四层膜片(5)和第五层膜片(6)为Al2O3膜片，第三层膜片(3)和第四层膜片(6)之间叠压有过渡层(4)，所述的过渡层(4)由上过渡层(4‑1)、中间过渡层(4‑2)、下过渡层(4‑3)从上至下依次叠压而成，上过渡层(4‑1)、中间过渡层(4‑2)、下过渡层(4‑3)均为掺Al2O3的YSZ膜片，所述掺Al2O3的YSZ膜片由下述质量百分比的流延浆料采用流延成型工艺制备而成：主体材料60％～70％、粘接剂3％～10％、增塑剂3％～10％、分散剂1％～10％、有机溶剂18％～30％、除泡剂0.1％～0.5％、均化剂0.5％～1％，其中上过渡层(4‑1)中主体材料的质量百分比组成为：YSZ 75％～85％、Al2O3 15％～25％，中间过渡层(4‑2)中主体材料的质量百分比组成为：YSZ 45％～60％、Al2O3 40％～55％，下过渡层(4‑3)中主体材料的质量百分比组成为：YSZ 15％～25％、Al2O3 75％～85％。