[发明专利]一种射频放大器电路在审
| 申请号： | 201810646798.5 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN109067373A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王晗 | 申请（专利权）人： | 安徽矽磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/24 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 尹明明 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种射频放大器电路，兼具了高性能与低功耗的优点，能够应用于可穿戴设备。所述放大器电路将相同的N个放大器单元上下层叠起来，晶体管共用了相同的工作电流，将有效跨导提高了N倍；同时可将多个放大器单元中的源极负反馈元件合并为一个，通过电容电感谐振实现中间节点的低阻抗。通过本发明的技术方案，放大器电路可在低电流下实现高增益和低噪声系数，采用标准CMOS工艺即可实现，并且芯片体积较小，使得制作成本也大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 射频放大器电路 放大器单元 放大器电路 标准CMOS工艺 低噪声系数 晶体管共用 可穿戴设备 源极负反馈 谐振 电容电感 工作电流 上下层叠 有效跨导 元件合并 中间节点 低电流 低功耗 低阻抗 高增益 芯片 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种射频放大器电路，通过N个放大器单元前后级联实现低功耗放大，N为大于1的正整数；其特征在于：每一个放大器单元均包括：负载元件、第一晶体管、第二晶体管、源极负反馈元件、输入耦合元件、输出耦合元件；所述负载元件的第二端连接第二晶体管的漏极，第二晶体管的源极连接第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极连接所述源极负反馈元件的第一端，第一晶体管的栅极通过输入耦合元件与射频输入端连接用于接收射频信号，第二晶体管的栅极连接偏置电压，第二晶体管的漏极还通过输出耦合元件与射频输出端连接用于输出经放大后的射频信号，第一晶体管和第二晶体管为共源共栅结构；各个放大器单元之间的连接关系具体为：第1个放大器单元的负载元件的第一端连接电源输入电压，第i个放大器单元的源极负反馈元件的第二端连接第i+1个放大器单元的负载元件的第一端，i为整数且1≤i≤N‑1，第N个放大器单元的源极负反馈元件的第二端接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽矽磊电子科技有限公司，未经安徽矽磊电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810646798.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
