[发明专利]一种射频放大器电路在审
申请号: | 201810646798.5 | 申请日: | 2018-06-21 |
公开(公告)号: | CN109067373A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 王晗 | 申请(专利权)人: | 安徽矽磊电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F3/193 | 分类号: | H03F3/193;H03F3/24 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 尹明明 |
地址: | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频放大器电路 放大器单元 放大器电路 标准CMOS工艺 低噪声系数 晶体管共用 可穿戴设备 源极负反馈 谐振 电容电感 工作电流 上下层叠 有效跨导 元件合并 中间节点 低电流 低功耗 低阻抗 高增益 芯片 制作 应用 | ||
1.一种射频放大器电路,通过N个放大器单元前后级联实现低功耗放大,N为大于1的正整数;其特征在于:
每一个放大器单元均包括:负载元件、第一晶体管、第二晶体管、源极负反馈元件、输入耦合元件、输出耦合元件;所述负载元件的第二端连接第二晶体管的漏极,第二晶体管的源极连接第一晶体管的漏极,第一晶体管的源极连接所述源极负反馈元件的第一端,第一晶体管的栅极通过输入耦合元件与射频输入端连接用于接收射频信号,第二晶体管的栅极连接偏置电压,第二晶体管的漏极还通过输出耦合元件与射频输出端连接用于输出经放大后的射频信号,第一晶体管和第二晶体管为共源共栅结构;
各个放大器单元之间的连接关系具体为:第1个放大器单元的负载元件的第一端连接电源输入电压,第i个放大器单元的源极负反馈元件的第二端连接第i+1个放大器单元的负载元件的第一端,i为整数且1≤i≤N-1,第N个放大器单元的源极负反馈元件的第二端接地。
2.如权利要求1所述的射频放大器电路,其特征在于,所述源极负反馈元件为一电感器,或电感与电容的并联组件,或电感与电阻的并联组件,或电感与电阻的串联组件,或者电感、电容、电阻的并联组件。
3.如权利要求1或2所述的射频放大器电路,其特征在于,第i+1个放大器单元的负载元件的第一端与地之间连接有一电容器,或者一LC串联谐振网络,或者一LC并联谐振网络。
4.如权利要求1所述的射频放大器电路,其特征在于,N的取值范围为1<N≤5。
5.一种射频放大器电路,通过N个放大器单元前后级联实现低功耗放大,N为大于1的正整数;其特征在于:
每一个放大器单元均包括:负载元件、第一晶体管、第二晶体管、输入耦合元件、输出耦合元件;所述负载元件的第二端连接第二晶体管的漏极,第二晶体管的源极连接第一晶体管的漏极,第一晶体管的栅极通过输入耦合元件与射频输入端连接用于接收射频信号,第二晶体管的栅极连接偏置电压,第二晶体管的漏极还通过输出耦合元件与射频输出端连接用于输出经放大后的射频信号,第一晶体管和第二晶体管为共源共栅结构;
各个放大器单元之间的连接关系具体为:第1个放大器单元的负载元件的第一端连接电源输入电压,第i个放大器单元的第一晶体管的源极连接第i+1个放大器单元的负载元件的第一端,i为整数且1≤i≤N-1,第N个放大器单元第一晶体管的源极连接一源极负反馈元件的第一端,所述源极负反馈元件的第二端接地。
6.如权利要求5所述的射频放大器电路,其特征在于,所述输出耦合元件为连接到射频输出端与第二晶体管的漏极之间的电容器。
7.如权利要求5所述的射频放大器电路,其特征在于,所述源极负反馈元件为一电感器,或电感与电容的并联组件,或电感与电阻的并联组件,或电感与电阻的串联组件,或者电感、电容、电阻的并联组件。
8.如权利要求5-7任一项所述的射频放大器电路,其特征在于,当N个放大器单元级联后,除了第N个放大器需要源极负反馈元件来提供输入匹配外,第1至N-1个放大器单元均无需源极负反馈元件,输入匹配完全由第1个放大器单元来提供。
9.如权利要求5-7任一项所述的射频放大器电路,其特征在于,第i+1个放大器单元的负载元件的第一端与地之间连接有一电容器,或者一LC串联谐振网络,或者一LC并联谐振网络。
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