[发明专利]CF基板侧ITO公共电极的制作方法在审
| 申请号： | 201810639871.6 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN108828801A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 任维 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CF基板侧ITO公共电极的制作方法，在将整面的ITO薄膜(2)划分为多个ITO区块(21)后，沿所述整面的ITO薄膜(2)四周边缘的膜厚均匀处分别再进行一次激光切割，且切割所述整面的ITO薄膜(2)四周边缘的膜厚均匀处的激光切割路径(P)形成封闭图形，能够将各个ITO区块(21)在所述整面的ITO薄膜(2)四周边缘的膜厚不均处的连接被彻底切断，位于所述封闭图形内的多个ITO区块(21)构成CF基板侧的ITO公共电极(COM)，从而构成ITO公共电极(COM)的多个ITO区块(21)之间的绝缘性得以改善，保证不同的ITO区块(21)可以独立接入不同的Curing信号而互不影响。 | ||
| 搜索关键词： | 区块 公共电极 四周边缘 封闭图形 膜厚均匀 激光切割路径 激光切割 绝缘性 膜厚 制作 切割 保证 | ||
【主权项】：
1.一种CF基板侧ITO公共电极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供CF基板(1)；步骤S2、在所述CF基板(1)上形成连续无间断的整面的ITO薄膜(2)，所述整面的ITO薄膜(2)的四周边缘包括膜厚均匀处及环绕于所述膜厚均匀处外围的膜厚不均处，所述整面的ITO薄膜(2)除四周边缘以外的部分膜厚均匀；步骤S3、使用激光切割所述整面的ITO薄膜(2)，将所述整面的ITO薄膜(2)划分为多个ITO区块(21)；步骤S4、沿所述整面的ITO薄膜(2)四周边缘的膜厚均匀处分别再进行一次激光切割，并使得切割所述整面的ITO薄膜(2)四周边缘的膜厚均匀处的激光切割路径(P)形成封闭图形；位于所述封闭图形内的多个ITO区块(21)构成CF基板侧的ITO公共电极(COM)。
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