[发明专利]一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201810625813.8 | 申请日： | 2018-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN108774238B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 赖文勇;孟成;李祥春;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;C09K11/06;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54 |
| 代理公司： | 32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用，该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物，其通式结构如下式1所示： | ||
| 搜索关键词： | 吲哚 空穴传输材料 修饰基团 富电子 咔唑基 制备 有机场效应晶体管 有机太阳能电池 烷基 电致发光器件 空穴迁移率 溶液法制备 直链或支链 太阳能电池 多臂结构 非晶薄膜 合成路线 热稳定性 商业应用 通式结构 非晶态 钙钛矿 潜在的 产率 咔唑 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料，其特征在于：该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物，其通式结构如下式1所示：/n
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