[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201810617737.6 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109273550B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 增田泰造;峯元高志;新泽雄高 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;王潇悦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CIS太阳能电池的制造方法，其包括：准备层状构件的工序，所述层状构件是在具有第一温度以上的耐热性的基板上形成第一电极层，在第一温度以上的条件下将CIS层成膜于第一电极层上，并在CIS层上形成第二电极层而成的；使层状构件的温度成为比第一温度低的第二温度的工序；在第二电极层上形成固体状态下的线膨胀系数比基板大的层形成物质的层的工序；和将层状构件冷却的工序，随着由层状构件的冷却实现的层形成物质的层的收缩，使CIS层从第一电极层剥离，得到薄膜状CIS太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CIS太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：准备层状构件的工序，所述层状构件是在具有第一温度以上的耐热性的基板上形成第一电极层，在所述第一温度以上的条件下将CIS层成膜于所述第一电极层上，并在所述CIS层上形成第二电极层而成的；使所述层状构件的温度成为比所述第一温度低的第二温度的工序；在所述第二电极层上形成固体状态下的线膨胀系数比所述基板大的层形成物质的层的工序；和将所述层状构件冷却的工序，随着由所述层状构件的冷却实现的所述层形成物质的层的收缩，使所述CIS层从所述第一电极层剥离，得到薄膜状CIS太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
