[发明专利]一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法有效
| 申请号： | 201810595576.5 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108455673B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 邹贵付;朱俊桐;蒋怡宁;戴晓;赵杰;易庆华 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C30B29/46 |
| 代理公司： | 32320 南京禾易知识产权代理有限公司 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215123 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法，它的制备包括以下步骤：（a）将过渡金属盐和强碱溶于水中，搅拌得透明澄清的前驱体溶液；所述过渡金属盐为无机钼盐或无机钨盐；所述渡金属盐和所述强碱的质量比为1~10：1；（b）将所述前驱体溶液旋涂至基底上；（c）将所述基底放在管式炉中部，取硫粉或硒粉置于所述管式炉进气端，随后对所述管式炉进行抽真空并充入惰性气体；加热使所述硫粉或硒粉升华，并使其与所述前驱体溶液进行反应、退火，自然降温即可。该方法制备得到的二维材料质量很高、具有很好的结晶性，并且其三角片的尺寸能够生长的很大；可以直接应用在半导体场效应管中，无需进行额外的转移。 | ||
| 搜索关键词： | 前驱体溶液 管式炉 过渡金属硫化物 强碱 过渡金属盐 单晶 二维 基底 硫粉 硒粉 制备 生长 半导体场效应管 退火 惰性气体 二维材料 自然降温 抽真空 结晶性 金属盐 进气端 三角片 质量比 水中 钨盐 旋涂 钼盐 加热 澄清 升华 透明 应用 | ||
【主权项】：
1.一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法，其特征在于，它包括以下步骤：/n(a)将过渡金属盐和强碱溶于水中，搅拌得透明澄清的前驱体溶液；所述过渡金属盐为无机钼盐或无机钨盐；所述渡金属盐和所述强碱的质量比为1～10：1；所述强碱为氢氧化钠或氢氧化钾；/n(b)将所述前驱体溶液旋涂至基底上；/n(c)将所述基底放在管式炉中部，取硫粉或硒粉置于所述管式炉进气端，随后对所述管式炉进行抽真空并充入惰性气体；加热使所述硫粉或硒粉升华，并使其与所述前驱体溶液进行反应、退火，自然降温即可；所述管式炉中部以8～15℃/min的速度升温至600～700℃后保持20～60分钟；所述管式炉进气端以1～3℃/min的速度升温至120～160℃后保持20～60分钟。/n
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