[发明专利]一种新型P-GaN栅结构的增强型器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810592687.0 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108899366B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;陈轶昕;王士辉;吉鹏;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型P‑GaN栅结构的增强型器件及其制作方法。所述器件包括衬底，还包括在衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P‑GaN层、栅金属层；所述P‑GaN层在所述势垒层上的投影小于所述势垒层靠近所述P‑GaN层一侧的界面，所述P‑GaN层中部设置有凹槽；所述栅金属层靠近所述P‑GaN层的一侧具有与所述凹槽相适应的凸起，所述凸起插入所述凹槽。所述方法包括：将基底材料的P‑GaN原始层刻蚀为设定大小的P‑GaN层；所述基底材料包括衬底，以及在所述衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P‑GaN原始层；在所述P‑GaN层上刻蚀凹槽；在所述P‑GaN层上制作栅金属层，所述栅金属层的材料填充所述凹槽；所述方法还包括：在势垒上制作源极和漏极。本发明能够增强器件的栅控能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 结构 增强 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型P‑GaN栅结构的增强型器件，其特征在于，包括衬底，还包括在衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P‑GaN层、栅金属层；所述势垒层在所述缓冲层上的投影小于所述缓冲层靠近所述势垒层一侧的界面；所述P‑GaN层在所述势垒层上的投影小于所述势垒层靠近所述P‑GaN层一侧的界面，所述P‑GaN层中部设置有凹槽；所述栅金属层靠近所述P‑GaN层的一侧具有与所述凹槽相适应的凸起，所述凸起插入所述凹槽；所述势垒层上还设置有源极和漏极，所述源极、漏极和所述势垒层设置于所述缓冲层的同一侧。
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