[发明专利]一种量子点及其合成方法在审

专利信息
申请号: 201810586981.0 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN108641720A 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 刘珊;蒋秀琴;雷双全 申请(专利权)人: 嘉兴纳鼎光电科技有限公司
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王茹;王锋
地址: 314000 浙江省嘉兴市海宁市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种量子点及其合成方法。所述合成方法包括:合成量子点核的第一步骤、在所述量子点核包覆至少一过渡层的第二步骤,以及,在所述过渡层上包覆壳层的第三步骤;其特征在于还包括:在第一步骤中,以无机酸对量子点核进行刻蚀;和/或,在第二步骤中,以无机酸对至少一过渡层进行刻蚀;和/或,在第三步骤中,以无机酸对壳层进行刻蚀;其中,所述无机酸所含的卤素阴离子、H+分别来源于第一步骤、第二步骤或第三步骤的反应体系内的卤素无机盐、胺类物质。本发明在合成过程中采用无机酸对量子点进行刻蚀,去除了量子点在合成过程中的各向异性,方法更加安全可控,可提高量子点的荧光量子产率,还可以提高其光学、化学和热稳定性能。
搜索关键词: 量子点 无机酸 刻蚀 过渡层 合成 合成过程 荧光量子产率 无机盐 卤素阴离子 热稳定性能 胺类物质 包覆壳层 包覆 对壳 可控 安全
【主权项】:
1.一种量子点的合成方法,包括:合成量子点核的第一步骤、在所述量子点核包覆至少一过渡层的第二步骤,以及,在所述过渡层上包覆壳层的第三步骤;其特征在于还包括:在第一步骤中,以无机酸对量子点核进行刻蚀;和/或,在第二步骤中,以无机酸对至少一过渡层进行刻蚀;和/或,在第三步骤中,以无机酸对壳层进行刻蚀;其中,所述无机酸所含的卤素阴离子、H+分别来源于第一步骤、第二步骤或第三步骤的反应体系内的卤素无机盐、胺类物质。
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