[发明专利]一种在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片的方法有效
| 申请号： | 201810580833.8 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108689432B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张璋;黄文添;李婧 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | C01G47/00 | 分类号： | C01G47/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任重 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片的方法。所述方法包括如下步骤：S1.清洗硅基底并进行预处理；S2.在多温区管式炉中，在相邻两个温区各有一个氧化铝舟；其中，两个氧化铝舟的间隔距离为20～30cm，硫源置于上游温区氧化铝舟的中心位置，铼源置于下游温区氧化铝舟的下游边缘，硅基底生长面朝下，其与下游温区氧化铝舟的下游边缘的距离为0～1cm；S3.然后向双温区管式炉中通入惰性气体，加热进行反应，即可在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片。本发明以升华硫为硫源、三氧化铼为铼源，以化学气相沉淀法，通过调整硫源和铼源的距离，以及下游温区中铼源和硅基底的位置，即可在无氧化层的硅基底上直接生长二硫化铼纳米片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 基底 生长 硫化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片的方法，采用化学气相沉淀法制备，其特征在于，包括如下步骤：S1. 清洗硅基底并进行预处理；S2. 在多温区管式炉中，盛放升华硫的氧化铝舟置于上游温区，盛放三氧化铼的氧化铝舟置于下游温区的中心位置，两个氧化铝舟的间隔距离为20～30cm，硅基底置于三氧化铼温区氧化铝舟的上沿，硅基底生长面朝下，硅基底与三氧化铼温区氧化铝舟的下游边缘间的距离不超过硅基底短边长度的0.4倍；S3. 然后向双温区管式炉中通入惰性气体，加热进行反应，即可在无氧化层的硅基底上生长二硫化铼纳米片。
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