[发明专利]针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构及其设计方法

摘要

本发明公开一种针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构及其设计方法。本发明由多个单元构成；所述单元由硅衬底到金属层方向依次包括位于硅衬底中的屏蔽差分硅通孔，位于绝缘层中的两个输入端口和构成均衡器的片上电阻，以及位于最外层金属层的片上电容和输出端口；此结构利用电阻‑电感(Resistance‑Inductance,RL)谐振电路的思路设计而成。此结构可以有效解决数字差分信号传输系统中存在的码间串扰问题，使传输频带变得平坦，有效提高了高速数字信号的传输质量。

主权项

1.针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构，由多个单元构成，其特征在于所述单元由硅衬底到金属层方向依次包括位于硅衬底中的屏蔽差分硅通孔，位于最底层屏蔽差分硅通孔内部的输入端口，位于最底部金属层的输出端口，连接均衡器的片上过孔和位于最外层金属层的螺旋电感；所述屏蔽差分硅通孔由内向外依次包括内部差分硅通孔对和屏蔽外壳；所述内部差分硅通孔对由两个结构相同的柱状硅通孔组成，用于三维集成电路中层间差分信号的传输，其中柱状硅通孔由金属内芯和外圈氧化层组成，金属内芯用于传输电流，外圈氧化层用于隔绝直流泄漏；所述屏蔽外壳由环形金属内芯和内外两层氧化层组成，用于充当电流返回路径的同时隔绝外界干扰，其中环形金属内芯接地用于充当电流返回路径，内外圈氧化层用于隔绝直流泄漏；所述输入端口位于最底层屏蔽差分硅通孔的内部差分硅通孔；所述输出端口与屏蔽差分硅通孔的内部差分硅通孔相连；差分信号由最底层屏蔽差分硅通孔的内部差分硅通孔流入，经片上过孔和螺旋电感外侧端口流入螺旋电感，实现均衡作用后，再由螺旋电感内侧端口流入屏蔽差分硅通孔的屏蔽外壳中；同时，差分信号经片上过孔由输出端口输出。