[发明专利]一种降低PECVD机台TMA耗量的方法

摘要

本发明公开了一种降低PECVD机台TMA耗量的方法，将PECVD机台氧化铝腔体内工艺带速设为185～200cm/min，腔体温度设为300～350℃，工艺压强设为0.11～0.14mbar，第一根气路笑气流量设为600～700sccm，TMA流量设为0mg/min，氩气流量设为0sccm，第二根气路笑气流量设为700～1000sccm，TMA流量设为200～300mg/min，氩气流量设为600～800sccm，第一根气路射频功率设为2500W，左右占空比分别设为6/17、6/18，第二根气路射频功率设为2200W，左右占空比分别设为4/17、4/18；本发明通过对氧化铝腔体内TMA气体流量、工艺压强、射频功率的综合优化调整，即可实现PECVD机台TMA耗量降低，进而达到PERC电池生产成本降低的目的。

主权项

1.一种降低PECVD机台TMA耗量的方法，PECVD机台包括氧化铝腔体和氮化硅腔体，氧化铝腔体用于对硅片镀氧化铝膜，氮化硅腔体用于对硅片镀氮化硅膜，氮化硅膜覆盖于氧化铝膜表面，其特征在于，包括以下步骤：（a）硅片经过常规制绒、扩散、刻蚀、退火工艺后，进入PECVD机台的氧化铝腔体和氮化硅腔体，依次镀氧化铝膜和氮化硅膜，其中氮化硅腔体工艺不变；（b）将氧化铝腔体内的工艺带速设为185～200cm/min，腔体温度设为300～350℃，工艺压强设为0.11～0.14mbar；（c）将氧化铝腔体内第一根气路的笑气流量设为600～700sccm，TMA流量设为0mg/min，氩气流量设为0sccm，将氧化铝腔体内第二根气路的笑气流量设为700～1000sccm，TMA流量设为200～300mg/min，氩气流量设为600～800sccm；（d）将氧化铝腔体内第一根气路的射频功率设为2500W，左右占空比分别设为6/17、6/18，将氧化铝腔体内第二根气路的射频功率设为2200W，左右占空比分别设为4/17、4/18；（e）将硅片背面朝上放置于镀膜的长方形石墨载板上，依次进入氧化铝腔体、氮化硅腔体分别镀氧化铝膜、氮化硅膜。