[发明专利]一种微阵列芯片的表面改性方法在审
| 申请号： | 201810568211.3 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108855259A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 周连群;邱亚军;李金泽;张芷齐;李传宇;郭振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 成珊 |
| 地址： | 215163 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于表面改性技术领域，具体涉及一种微阵列芯片的表面改性方法，所述方法为采用氧化性物质与硅基芯片氧化生成具有亲水Si‑OH基团的芯片表面及微孔，覆盖微孔后利用硅烷类物质与芯片表面反应得到具有疏水性的芯片表面。本发明采用分步改性的方法对芯片表面进行改性，减少了芯片表面的液体残留，避免了样品以及检测信号间的交叉污染，降低了后期信号图像处理的难度，大大提高了生物样品检测的精度与灵敏度。与现有技术中通过对芯片表面涂覆亲水/疏水膜的方式来改变芯片表面的亲水及疏水性相比，本发明的改性方法得到的芯片其亲水及疏水性质更均匀稳定，在空气、弱酸或弱碱环境中不易被腐蚀氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片表面 亲水 改性 微阵列芯片 表面改性 疏水性 微孔 表面改性技术 生物样品检测 硅烷类物质 氧化性物质 硅基芯片 检测信号 交叉污染 弱碱环境 信号图像 液体残留 灵敏度 疏水膜 弱酸 疏水 涂覆 腐蚀 芯片 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种微阵列芯片的表面改性方法，其特征在于，包括如下步骤：对所述微阵列芯片的表面进行亲水化处理；至少填充所述微阵列芯片上微孔的端口；对所述微阵列芯片的表面进行疏水化处理；去除所述微孔中的填充物。
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