[发明专利]一种微阵列芯片的表面改性方法

权利要求书

1.一种微阵列芯片的表面改性方法，其特征在于，包括如下步骤：

对所述微阵列芯片的表面进行亲水化处理；

至少填充所述微阵列芯片上微孔的端口；

对所述微阵列芯片的表面进行疏水化处理；

去除所述微孔中的填充物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述微阵列芯片的表面进行亲水化处理步骤包括：

将所述微阵列芯片浸没于亲水化试剂中，35～45℃下加热反应至少1min。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述亲水化试剂包括双氧水，还包括氨水、醋酸、浓硫酸、盐酸或氢氧化钠中的至少一种；所述亲水化试剂中双氧水的体积含量为15～50％。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述填充物为水、三氯乙烯、正己烷、硅油、液体石蜡、固体石蜡、氟化油、蓝膜或PDMS中的至少一种。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述微阵列芯片的表面进行疏水化处理步骤为：

对疏水化试剂进行水解，得到水解溶液；

将所述微阵列芯片浸没于所述水解溶液中反应至少30s；

所述疏水化试剂为全氟癸基三甲氧基硅烷、十八烷基三氯硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷或辛基三氯硅烷中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述疏水化试剂进行水解步骤为：

将所述疏水化试剂加到第一极性有机溶剂中，25～35℃下加热反应至少30min；所述第一极性有机溶剂为三氯乙烯、乙醇、异丙醇、正己烷、丙酮、氮氮二甲基甲酰胺、四氢呋喃中的一种或几种以任意比例的混合。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述对所述疏水化试剂进行水解步骤还包括在所述第一极性有机溶剂中加入催化剂的步骤，所述催化剂为乙酸。

8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述去除所述微孔中的填充物步骤为：

用第二极性有机溶剂至少超声清洗一次；所述第二极性有机溶剂为三氯乙烯、丙酮、乙醇、异丙醇中的一种或几种以任意比例的混合。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述微阵列芯片的表面进行亲水化处理步骤之前还包括对所述微阵列芯片进行第一次清洗和第一次烘干的步骤。

10.根据权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述微阵列芯片的表面进行亲水化处理步骤之后还包括对所述微阵列芯片进行第二次清洗和第二次烘干的步骤。