[发明专利]一种离子束沉积制备CN薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810560534.8 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108642465A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/48;C23C14/06 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种离子束沉积制备CN薄膜的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污与杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与离子注入机，离子束沉积设备采用C靶，将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，以氩离子轰击C靶；同时，开启离子注入机，注入N离子，在衬底表面得到CN薄膜；C靶的工艺参数通过离子束沉积设备进行独立控制，N离子源的提供由离子注入机完成，整个过程中离子束沉积设备与离子注入机都是单独工作，不相互干扰；C与N的简单的进行反应得到CN薄膜，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束沉积 离子注入机 薄膜 衬底表面 衬底 制备 氩离子轰击 独立控制 可控性 真空腔 油污 去除 离子 连通 清洗 室内 | ||
【主权项】：
1.一种离子束沉积制备CN薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污与杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与离子注入机，离子束沉积设备采用C靶，将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，以氩离子轰击C靶；同时，开启离子注入机，注入N离子，在衬底表面得到CN薄膜。
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