[发明专利]用于浅沟槽隔离的水性二氧化硅浆料组合物和其使用方法有效
| 申请号： | 201810558055.2 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN109148282B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | J·考兹休克;D·莫斯利;N·K·彭塔;M·万哈尼赫姆;K-A·K·雷迪 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供水性CMP抛光组合物，所述组合物按所述组合物的总重量计包含0.5到30重量％的多个含有阳离子氮原子的细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的分散体，以及0.001到0.5重量％、优选10到500ppm的二烯丙基二甲基铵盐，如二烯丙基二甲基卤化铵的阳离子共聚物，其中所述组合物的pH为1到4.5。优选地，二烯丙基二甲基铵盐的所述阳离子共聚物包含二烯丙基二甲基氯化铵(DADMAC)和二氧化硫的共聚物。所述浆料组合物在具有氮化物和硅图案的图案晶片的CMP抛光中表现出良好的氧化物选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟槽 隔离 水性 二氧化硅 浆料 组合 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种水性化学机械平坦化抛光(CMP抛光)组合物，所述组合物包含多个含有阳离子氮原子的细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的分散体和0.001到0.5重量％的二烯丙基二甲基铵盐的阳离子共聚物，其中所述组合物的pH为1到4.5，并且另外，其中所述细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的所述分散体的量在0.5到30重量％的范围内，所有重量均按所述组合物的总重量计。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
