[发明专利]一种控制微流控芯片内部亲水化修饰效果的方法

摘要

一种控制微流控芯片内部亲水化修饰效果的方法，属于微流控芯片亲水化控制技术领域，本发明基于两个硼酸基团修饰的聚集诱导发光分子和含有羟基的聚乙烯醇(PVA)的特异性、选择性识别作用，对经过亲水化处理的微流控芯片内部进行荧光可视化成像标记，并通过荧光显微镜或激光共聚焦显微镜对其内部荧光强度及分布情况进行测量分析控制条件。本方法实现了对微流控芯片中微孔道的原位可视化控制，可解决传统测量中无法对芯片内部实施原位检测的难题，是一种安全、无损、快速有效的可视化识别方法，可广泛应用于材料中对亲水化处理效果的快速筛查。

主权项

1.PDMS微流控芯片内部孔道亲水化控制方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备具有硼酸修饰的荧光物质的碱性溶液；荧光物质为一个或多个硼酸修饰的聚集诱导发光材料、带有硼酸基团的荧光物质；(2)PDMS微流控芯片的制备(3)PDMS微流控芯片的亲水化处理将制备好的PDMS芯片用去离子水超声清洗5‑20min；将配置好的亲水化处理试剂溶液注入PDMS微流控孔道中，保留不同时间段后将溶液吸出；用去离子水润洗孔道3‑4次后备用；亲水化处理试剂溶液为含羟基材料的无机物或有机物的溶液；(4)PDMS微流控芯片的荧光标记在步骤(3)亲水化处理后的PDMS芯片中注入步骤(1)配置好的具有硼酸修饰的荧光物质的水溶液，保留2‑10min将溶液吸出，用去离子水润洗孔道3‑4次后备用；(5)共聚焦成像处理将步骤(4)中处理好的芯片用氮气吹扫干，直接放置于载玻片上，倒置于激光扫描共聚焦显微镜进行成像观察；对得到的成像照片进行荧光强度分析，截取特定区域对荧光分布情况进行测量；根据结果进一步调整步骤(3)中不同亲水化处理试剂溶液种类、浓度以及保留时间来进一步调节亲水化效果。