[发明专利]一种CML电平转CMOS电平的电路结构在审
| 申请号： | 201810529641.4 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108449082A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 戴澜;陈纲 | 申请（专利权）人： | 高科创芯（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京易正达专利代理有限公司 11518 | 代理人： | 程宝妹 |
| 地址： | 100080 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流模式逻辑(CML)电平转CMOS电平电路结构，包括：CML电平均衡放大电路A，用于将差分电路信号进行直流工作点搬移，同时对CML信号摆幅进行一级放大；直流去耦合放大电路B，用于去掉差分CML信号的直流工作点，同时对所述差分CML信号进行二级放大；以及占空比矫正电路C，用于在高速CML电平进行CMOS电平转换的过程中，避免占空比失调。采用本发明的电路结构，能够高效解决高速集成电路芯片中实现CML电平到CMOS电平的转换的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 电路结构 直流工作点 放大电路 占空比 高速集成电路芯片 电流模式逻辑 差分电路 二级放大 矫正电路 信号摆幅 一级放大 去耦合 转换 搬移 失调 均衡 | ||
【主权项】：
1.一种电流模式逻辑CML电平转CMOS电平电路结构，其特征在于，包括：CML电平均衡放大电路A，用于将差分电路信号进行直流工作点搬移，同时对CML信号摆幅进行一级放大；直流去耦合放大电路B，用于去掉差分CML信号的直流工作点，同时对所述差分CML信号进行二级放大；以及，占空比矫正电路C，用于在高速CML电平进行CMOS电平转换的过程中，避免占空比失调。
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