[发明专利]一种超结器件终端结构有效
| 申请号： | 201810527223.1 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108598152B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 任敏;何文静;宋炳炎;李泽宏;高巍;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超结器件终端结构，从器件边缘向器件有源区方向依次具有终端区和过渡区，终端区和过渡区共用第一导电类型半导体衬底以及第一导电类型外延层；终端区包括：终端区第二导电类型柱区、截止环；过渡区包括过渡区第二导电类型柱区、第二导电类型体区，过渡区第二导电类型柱区下方设有绝缘介质区，绝缘介质区的上表面与过渡区第二导电类型柱区接触，绝缘介质区下表面的深度和终端区第二导电类型柱区的深度相同；本发明不影响超结器件耐压的同时，使反向恢复电荷减少，改善反向恢复过程中终端过渡区主结边缘的电流集中现象，减小器件的开关损耗，提高超结器件的开关速度以及终端的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
1.一种超结器件终端结构，其特征在于：从器件边缘向器件有源区方向依次具有终端区I和过渡区II，终端区I和过渡区II共用第一导电类型半导体衬底(1)以及位于第一导电类型半导体衬底(1)上方的第一导电类型外延层(2)；终端区I包括：位于所述第一导电类型外延层(2)中的一个或多个相互独立的终端区第二导电类型柱区(31)，所述终端区第二导电类型柱区(31)上表面与第一导电类型外延层(2)的上表面平齐；位于所述第一导电类型外延层(2)上层远离有源区一端的截止环(5)；过渡区II包括：位于所述第一导电类型外延层(2)中的一个或多个相互独立的过渡区第二导电类型柱区(32)；位于所述第一导电类型外延层(2)上层的第二导电类型体区(4)，所述第二导电类型体区(4)的下表面与过渡区第二导电类型柱区(32)的上表面连接，且与元胞源极连接同一电位；所述过渡区第二导电类型柱区(32)下方设有绝缘介质区(6)，所述绝缘介质区(6)的上表面与过渡区第二导电类型柱区(32)接触，绝缘介质区(6)下表面的深度和终端区第二导电类型柱区(31)的深度相同。
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