[发明专利]氧化物靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 201810517955.2 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108950490B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 上坂修治郎;内山博幸;熊谷友正;玉田悠 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C04B35/622;C04B35/457;C04B35/453 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种氧化物靶材及其制造方法，所述氧化物靶材用于形成ZTO薄膜，所述ZTO薄膜为抑制阈值电压的不稳定性的、构成对高精细的显示器等进行驱动的TFT的沟道层的ZTO薄膜。相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，面积10000μm |
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| 搜索关键词： | 氧化物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物靶材，其特征在于，相对于金属成分整体，含有20.0原子％～50.0％原子的Sn，余量由Zn及不可避免的杂质组成，在作为侵蚀面的面的面积10000μm2中ZnO相所占据的面积率为10.5面积％以下。
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