[发明专利]一种基于SI衬底的五结太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201810517085.9 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110534613B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 方亮;高鹏;姚立勇;张恒;张启明;唐悦;石璘;刘如彬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/683;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于SI衬底的五结太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。基于SI衬底的五结太阳电池的制备方法，AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaInAsP/GaInAs五结太阳电池采用MOCVD技术，在表面有GaAs层的硅衬底上用MOCVD外延反向生长和GaAs晶格匹配的太阳电池材料，包括AlGaInP子电池，AlGaAs子电池，GaAs子电池；在表面有InP层的硅衬底上用MOCVD外延正向生长和InP晶格匹配的太阳电池材料，包括GaInAsP子电池，GaInAs子电池；然后通过低温键合工艺把GaAs子电池和GaInAsP子电池接在一起，最后通过化学刻蚀完成Si/GaAs衬底的剥离，得到五结太阳电池。本发明具有理论转换效率达到56％，剥离的InP和GaAs衬底通过CMP等过程可以重复使用，显著降低五结太阳电池制备成本等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 si 衬底 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SI衬底的五结太阳电池的制备方法，其特征是：基于SI衬底的五结太阳电池的制备过程，AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaInAsP/GaInAs五结太阳电池采用MOCVD技术，在表面有GaAs层的硅衬底上用MOCVD外延反向生长和GaAs晶格匹配的太阳电池材料，包括AlGaInP子电池，AlGaAs子电池，GaAs子电池；在表面有InP层的硅衬底上用MOCVD外延正向生长和InP晶格匹配的太阳电池材料，包括GaInAsP子电池，GaInAs子电池；然后通过低温键合工艺把GaAs子电池和GaInAsP子电池接在一起，最后通过化学刻蚀完成Si/GaAs衬底的剥离，得到五结太阳电池。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所，未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810517085.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种反向生长三结太阳电池的制备方法
- 下一篇：一种P型晶体硅电池的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
