[发明专利]一种对单晶硅生产中回收的氩气纯化的方法

摘要

本发明公开一种对单晶硅生产中回收的氩气进行纯化的方法。本发明的氩气纯化的方法是：在反应床中均匀装填纯化处理催化剂，并使催化剂表面保持在同一平面，先通入高纯氧气对催化剂进行预氧化处理，反应装置升温至100℃‑400℃，然后使待纯化的氩气流过催化剂表面，所用的催化剂含Ce、Ni、Sr、Co、Mn、La、Zn、Ga、Mg、Be、Ba、Bi和Cd各组份。本发明的方法使用廉价的钙钛矿型复合氧化物催化剂，其反应条件温和，纯化氩气纯度高，纯化系统反应可去除CO、H2等，生成CO2与H2O，该工艺方法简洁，产品纯化率较高，符合绿色化学概念，同时适合工业化生产。

主权项

1.一种对单晶硅生产中回收的氩气纯化的方法，其特征在于在反应床中均匀装填纯化处理催化剂，并使催化剂表面保持在同一平面，先通入高纯氧气对催化剂进行预氧化处理，反应装置升温至100℃‑400℃，然后使待纯化的氩气流过催化剂表面，所用的催化剂制备方法为按：Ce 10‑53％、Ni 5‑48%、 Sr 3‑22%、 Co 2‑22%、Mn 1‑10.0%、La 1‑10.0%、Zn 1‑10.0%、Ga 1‑10.0%、Mg 1‑10%、Be 1‑10%、Ba 1‑10%、Bi 1‑10%、Cd 1‑10%的质量比称取所述各组份的可溶性金属并完全溶于水中，然后滴加1～3 mol/L有机酸至金属盐混合溶液中，在另一容器中加入摩尔比1:1~1:5的 Ce和Zr 的可溶性金属盐，再加入水使其完全溶解，再用氢氧化钠溶液调节pH至碱性，然后静置过夜、离心、100℃干燥处理，再将固体在650℃焙烧，得到催化剂载体，采用浸渍法使金属盐溶液负载于催化剂载体上，充分搅拌后烘干后再在800~1000℃焙烧，重复前述过程三至五次，最后将催化剂浸泡在1‑8 mol/L的HNO3酸溶液中对催化剂表面进行处理。