[发明专利]一种对单晶硅生产中回收的氩气纯化的方法

权利要求书

1.一种对单晶硅生产中回收的氩气纯化的方法，其特征在于在反应床中均匀装填催化剂，并使催化剂表面保持在同一平面，先通入高纯氧气对催化剂进行预氧化处理，反应装置升温至100℃～400℃，然后使待纯化的氩气流过催化剂表面，所述催化剂为钙钛矿型复合氧化物催化剂；所用的催化剂制备方法为：

1）按照A_1-xA_x^’B_1-xB_x^’O₃的比例分别取锰、镧、铈、锶、钴、铜及镍的可溶性金属盐加入水搅拌使其完全溶解配成混合液，然后滴加1～3 mol/L有机酸至上述混合液中制备金属盐溶液；

2）制备具有储氧功能的载体： 按照摩尔比1:1~1:5加入Ce和Zr的可溶性金属盐和水使其完全溶解，滴加氢氧化钠溶液调节pH至碱性，离心、100℃干燥、650℃焙烧，得到具有储氧功能的载体；

3）将前述制备好的金属盐溶液浸渍到具有储氧功能的载体上，经烘干、800~1000℃焙烧后，再次浸渍，即：将焙烧后的催化剂加入水使其完全溶解，滴加制备好的金属盐溶液，烘干、焙烧，重复三至五次；

4）将催化剂浸泡在1~8 mol/L的HNO₃溶液中对催化剂表面进行处理。

2.根据权利要求1所述的对单晶硅生产中回收的氩气纯化的方法，其特征在于所得到的催化剂在使用前先用球磨机处理，再筛网筛选出颗粒度为20 ~ 30 目的颗粒装填于反应床中。