[发明专利]基于重离子径迹技术的超表面纳米天线阵列的制造方法及应用有效
申请号: | 201810511602.1 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN108647467B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 付永启;崔颂雅;游依莎;赵康伊 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23;G06F30/20 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 何凡 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了基于重离子径迹技术的超表面纳米天线阵列的制造方法及应用,步骤S1:采用时域有限差分仿真软件设计纳米天线阵列;步骤S2:优化超聚焦点的聚焦度;步骤S3:制造基于超表面的纳米天线阵列;步骤S4:超表面的纳米天线阵列结构在生物成像中的应用;步骤S5:通过暗场显微镜目镜及CCD相机观察样品形貌;步骤S6:基于超表面的纳米天线阵列结构在生化检测中的应用;解决了以往报道的完美透镜中存在的能量在光学材料中的损失严重、没有工作距离、没有成像放大作用和只是一维成像的问题。 | ||
搜索关键词: | 基于 离子 径迹 技术 表面 纳米 天线 阵列 制造 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.基于重离子径迹技术的超表面纳米天线阵列的制造方法及应用,其特征在于,所述方法包括如下步骤:步骤S1:采用时域有限差分仿真软件设计纳米天线阵列,并计算出阵列尖端产生的表面等离激元,形成局部增强的“热点效应”;步骤S2:根据设计的纳米天线参数,优化“热点效应”超聚焦点的聚焦度;步骤S3:根据优化后的聚焦度,利用重离子径迹技术进行加工,制造基于超表面的纳米天线阵列;步骤S4:通过近场扫描光学显微镜的近场测试基于超表面的纳米天线阵列,验证生物成像所需的纳米量级的照明光源;步骤S5:将生物分子或者细胞样品放置在纳米天线阵列结构上,通过暗场显微镜目镜及CCD相机观察样品形貌。步骤S6:将基于超表面的纳米天线阵列转移到海洋光谱仪上,分别测试在不同浓度的乙醇溶液和丙酮溶液下的光谱数据,获取不同情况的光谱数据,得到其针对不同的分子所具有的生化传感检测功能。
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