[发明专利]一种铝钪合金溅射靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 201810504228.2 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110527956A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 何午琳 | 申请（专利权）人： | 何午琳 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C21/00;C22C28/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝钪合金溅射靶材及其制备方法，属于高性能铝钪合金靶材技术领域。该铝钪合金靶材中，钪元素的含量为5at％‑50at％，其余为铝元素。其制备方法包括：步骤一备料、步骤二熔炼铸锭、步骤三煅打或轧制、步骤四取样检测、步骤五铣磨清洗、步骤六真空包装。本发明采用真空磁悬浮熔炼炉和快速铸造快速冷凝工艺，制备铝钪合金靶材的厚度：2‑35mm，致密度99.9％，钪元素的含量为5at％‑50at％，其余为铝元素。实现制备方法操作简单、合金均匀，昂贵的金属钪利用率高、有利于产业化应用。成分均匀性好且后续可加工性好的特性，满足半导体和特殊领域用溅射靶材的需求。克服了现有技术的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 铝钪合金 制备 靶材 溅射靶材 铝元素 磁悬浮熔炼炉 产业化应用 成分均匀性 轧制 可加工性 快速冷凝 取样检测 真空包装 熔炼 金属钪 备料 铣磨 铸锭 半导体 合金 清洗 铸造 | ||
【主权项】：
1.一种铝钪合金溅射靶材及其制备方法，其特征在于：所述铝钪合金溅射靶材中钪元素的含量为5at％-50at％，余量为铝元素，所述铝钪合金溅射靶材的致密度为99.9％，厚度为2-35mm；/n所述铝钪合金溅射靶材的制备方法包括以下步骤：/n步骤一、备料：按所述铝钪合金溅射靶材的铝钪元素百分含量比Al(50at％-95at％)：Sc(50at％-5at％)计算出单炉制粉所需的原料铝、原料钪的质量，分别称取单炉原料铝和单炉原料钪备用，/n步骤二、熔炼铸锭：将所述单炉原料铝和单炉原料钪放入真空磁悬浮熔炼炉中，将所述单炉原料铝和单炉原料钪完全合金化，再采用快速铸造工艺铸造制备铝钪合金靶材锭，/n步骤三、煅打或轧制：将铸造制备的所述铝钪合金靶材锭采用空气锤或轧机进行煅打或轧制成所需的规格，制备铝钪合金靶材坯，/n步骤四、取样检测：将所述铝钪合金靶材坯取样采用TCP和金相显微仪进行晶粒、成分的相关检测，/n步骤五、铣磨清洗：将检测合格的所述铝钪合金靶材坯按图纸尺寸要求进行车、铣、磨等机械加工，再用超声波设备进行清洗，/n步骤六、真空包装：采用专用的真空袋真空包装，构成所述一种铝钪合金溅射靶材及其制备方法。/n
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