[发明专利]2D/1D结构二硫化钼/硫化铋纳米复合材料制备方法在审

专利信息
申请号: 201810500406.4 申请日: 2018-05-23
公开(公告)号: CN108878159A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 严学华;王静静;沙大巍;周辰;王琼;王东风;潘建梅;程晓农 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及超级电容器电极材料,特指一种2D/1D结构二硫化钼/硫化铋纳米复合材料制备方法。按比例称取Bi2S3纳米棒、Na2MoO4·2H2O和硫脲溶解于去离子水中,室温下磁力搅拌1h使之均匀分散。所得混合物转移至50mL反应釜中,在210℃下反应24h,使Na2MoO4·2H2O与硫脲反应完全并在Bi2S3纳米棒表面生成MoS2纳米片。反应结束后取出冷却至室温,用去离子水和酒精洗涤离心,并在真空干燥箱中干燥,即可得到MoS2/Bi2S3纳米复合材料。
搜索关键词: 纳米复合材料制备 二硫化钼 硫化铋 纳米棒 硫脲 超级电容器电极 纳米复合材料 真空干燥箱 磁力搅拌 酒精洗涤 去离子水 混合物 反应釜 纳米片 称取 水中 离子 冷却 溶解 取出
【主权项】:
1.2D/1D结构二硫化钼/硫化铋纳米复合材料制备方法,所述材料由MoS2纳米片和Bi2S3纳米棒两种材料复合而成,具有2D/1D的形貌特征;其中二维MoS2纳米片均匀生长在一维Bi2S3纳米棒表面,避免了二维材料在制备过程中发生团聚,为电化学反应提供更多的活性反应位点;一维材料在促进电子离子快速传输的同时,承受了电化学反应过程中的部分应力作用,有利于复合材料结构的保持,提高了电极材料在长时间使用时的循环稳定性,其特征在于,所述制备方法如下:按比例称取Bi2S3纳米棒、Na2MoO4·2H2O和硫脲溶解于去离子水中,室温下磁力搅拌使之均匀分散;所得混合物转移至反应釜中进行水热反应,使Na2MoO4·2H2O与硫脲反应完全并在Bi2S3纳米棒表面生成MoS2纳米片,反应结束后取出冷却至室温,用去离子水和酒精洗涤离心,并在真空干燥箱中干燥,即可得到2D/1D结构MoS2/Bi2S3纳米复合材料。
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