[发明专利]包括形成有鳍结构的多栅极晶体管的半导体器件有效
| 申请号： | 201810496326.6 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108962973B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;金洞院;裵金钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，其中所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 形成 结构 栅极 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，且所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。
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