[发明专利]并行测试结构有效
申请号: | 201810494223.6 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN109427603B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 沈添;A·库马尔;宋云成;K·B·耶普;R·G·小菲利皮;曹琳珺;S·乔伊;C·J·克里斯琴森;P·R·朱斯蒂孙 | 申请(专利权)人: | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及并行测试结构,其中,示例装置包括与包含被测装置的集成电路连接并向其提供测试电压的测试模块。该测试模块在该被测装置上执行时间相关介电击穿(TDDB)测试。解码器与该被测装置及该测试模块连接。该解码器选择性连接各被测装置至该测试模块。电子熔丝与该被测装置中不同的一个连接。当相应被测装置失效时,该电子熔丝将各该被测装置与该测试电压单独电性断开。保护电路连接于该电子熔丝与接地电压之间,当该被测装置失效时,各保护电路在该解码器周围提供分流。 | ||
搜索关键词: | 并行 测试 结构 | ||
【主权项】:
1.一种装置,包括:测试模块,与包含被测装置的集成电路连接并向其提供测试电压,该测试模块在该被测装置上执行时间相关介电击穿(TDDB)测试;解码器,与该被测装置及该测试模块连接,该解码器选择性连接各被测装置至该测试模块;电子熔丝,各该电子熔丝与该被测装置中不同的一个连接,当相应被测装置失效时,该电子熔丝将各该被测装置与该测试模块单独电性断开;电阻器,各该电阻器与该电子熔丝中不同的一个连接,在该TDDB测试的常规应力条件下,该电阻器提供至地的低电阻路径;以及保护电路,连接于该电子熔丝与接地电压之间,当该被测装置失效时,各保护电路在该解码器周围提供至地的电性路径,其中,该电性路径引导电流离开该测试模块以保护该测试模块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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