[发明专利]一种新型的基于HBT的基极镇流电路在审
| 申请号： | 201810490575.4 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108462474A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张辉;娄肖萌;颜国国;孙宏杰 | 申请（专利权）人： | 杭州臻镭微波技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21;H03G3/30 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310030 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的基于HBT的基极镇流电路，包括晶体管和镇流电阻，镇流电阻包括共用镇流电阻和独立镇流电阻；晶体管的基极与独立镇流电阻的一端连接，独立镇流电阻的另一端与共用镇流电阻的一端连接，共用镇流电阻的另一端与偏置电路模块连接；晶体管的集电极与匹配电路模块和/或供电电路模块连接；晶体管的基极至少两个，每个基极与一一对应的独立镇流电阻的一端连接；共用镇流电阻至少两个，共用镇流电阻之间并联；本发明提供了一种防止电流增益坍塌产生，增强晶体管的热稳定性的基于HBT的基极镇流电路。 | ||
| 搜索关键词： | 镇流电阻 晶体管 基极镇流 一端连接 电路 供电电路模块 匹配电路模块 偏置电路模块 电流增益 热稳定性 集电极 并联 坍塌 | ||
【主权项】：
1.一种新型的基于HBT的基极镇流电路，其特征在于，包括晶体管和镇流电阻，镇流电阻包括共用镇流电阻和独立镇流电阻；晶体管的基极与独立镇流电阻的一端连接，独立镇流电阻的另一端与共用镇流电阻的一端连接，共用镇流电阻的另一端与偏置电路模块连接；晶体管的集电极与匹配电路模块和/或供电电路模块连接；晶体管的基极至少两个，每个基极与一一对应的独立镇流电阻的一端连接；共用镇流电阻至少两个，共用镇流电阻之间并联。
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