[发明专利]一种非晶硅太阳能电池生产工艺有效
申请号: | 201810468744.4 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN108649103B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 汪玉洁;张云鹤 | 申请(专利权)人: | 江苏悦阳光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 224000 江苏省盐城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于非晶硅电池生产技术领域,具体的说是一种非晶硅太阳能电池生产工艺,该工艺包括如下步骤:将经过前工序处理后的玻璃基板,送入清洗机中,清洗该玻璃基板;再将玻璃基板装入夹具中,预热后送入非晶硅沉积炉中沉积PIN型非晶硅薄膜;将玻璃基板送入激光刻膜机中,刻划非晶硅薄膜;印制集成碳膜层背电极,然后印制电池保护漆、字符;印制电池铜可焊电极;将玻璃基板上集成排列的该非晶硅太阳能电池切割为单体非晶硅太阳能电池,并将切割好的非晶硅太阳能电池进行外观质量检查和分类;本发明主要用于对非晶硅太阳能电池生产过程中的玻璃基板进行激光刻膜,实现了提高刻膜工艺的质量和效率。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅太阳能电池 玻璃基板 送入 非晶硅薄膜 印制 生产工艺 切割 夹具 非晶硅沉积炉 外观质量检查 非晶硅电池 激光刻膜机 电池保护 工序处理 激光刻膜 生产过程 生产技术 背电极 清洗机 碳膜层 电极 预热 沉积 刻划 装入 清洗 电池 分类 | ||
【主权项】:
1.一种非晶硅太阳能电池生产工艺,其特征在于:该工艺包括如下步骤:步骤一:将经过前工序处理后的玻璃基板,送入清洗机中,清洗该玻璃基板;步骤二:将步骤一中清洗好的玻璃基板,装入玻璃基板夹具中,预热后送入非晶硅沉积炉中沉积PIN型非晶硅薄膜;步骤三:将步骤二中已经沉积非晶硅薄膜的玻璃基板送入激光刻膜机中,在透明电极与背电极连接区内,刻划非晶硅薄膜;步骤四:在步骤三中已经刻划非晶硅薄膜的玻璃基板上,印制集成碳膜层背电极,然后印制电池保护漆、字符;步骤五:在经过步骤四制造的玻璃基板上,印制电池铜可焊电极;步骤六:将经过步骤五制造的玻璃基板,将玻璃基板上集成排列的该非晶硅太阳能电池切割为单体非晶硅太阳能电池,并将已切割好的成品非晶硅太阳能电池进行外观质量检查和分类;步骤三中的激光刻膜机,包括机架(1)、上气浮板(2)、下气浮板(3)、浮板调节装置(4)、清扫装置(5)、激光聚焦头(6),所述机架(1)底板上方固定连接下气浮板(3);所述下气浮板(3)安装在同一水平高度,下气浮板(3)用于向玻璃基板吹向上的定向气流,下气浮板(3)从左往右分别为一号下气浮板(31)、二号下气浮板(32)、三号下气浮板(33);所述一号下气浮板(31)与二号下气浮板(32)中间设有激光聚焦头(6);所述二号下气浮板(32)与三号下气浮板(33)中间设有清扫装置(5);所述清扫装置(5)固定连接在机架(1)的短立柱之间,清扫装置(5)用于对玻璃基板上、下表面的灰尘进行清理;所述一号下气浮板(31)和二号下气浮板(32)上方设有上气浮板(2);所述上气浮板(2)用于向玻璃基板吹向下的定向气流,上气浮板(2)上方设有浮板调节装置(4);所述浮板调节装置(4)用于调节上气浮板(2)的垂直高度;所述浮板调节装置(4)上端固定连接在机架(1)顶板下方;其中,所述浮板调节装置(4)包括刹车电机(41)、驱动杆(42)、一号驱动连杆(43)、二号驱动连杆(44)、上连接板(45)、下连接板(46)、剪刀叉式连杆组件(47)、一号滑块(48)、二号滑块(49),所述上气浮板(2)上方固定连接下连接板(46);所述下连接板(46)上表面中心位置铰接一号驱动连杆(43)一端;所述一号驱动连杆(43)另一端铰接驱动杆(42)一端;所述驱动杆(42)另一端铰接二号驱动连杆(44)一端,驱动杆(42)中心与刹车电机(41)的转轴端头固定安装;所述刹车电机(41)底座通过直线导轨滑动安装在机架(1)的长立柱上;所述二号驱动连杆(44)的另一端铰接上连接板(45);所述上连接板(45)固定连接在机架(1)顶板下方;所述下连接板(46)上表面四角设有四组剪刀叉式连杆组件(47);所述剪刀叉式连杆组件(47)一端的一根连杆与下连接板(46)铰接,剪刀叉式连杆组件(47)一端的另一根连杆与一号滑块(48)铰接;所述一号滑块(48)与下连接板(46)滑动安装;所述剪刀叉式连杆组件(47)另一端的一根连杆与上连接板(45)铰接,剪刀叉式连杆组件(47)另一端的另一根连杆与二号滑块(49)铰接;所述二号滑块(49)与上连接板(45)滑动安装;所述激光聚焦头(6)上方设有下冷却套(61);所述下冷却套(61)用于抽除激光聚焦点周围的热空气,下冷却套(61)靠近激光聚焦点一端设置抽气孔;所述下冷却套(61)内壁靠近抽气孔的位置设有堵气板(611);所述堵气板(611)与下冷却套(61)铰接,堵气板(611)靠近抽气孔一侧表面设置凸起;所述下冷却套(61)上方设有上冷却套(62);所述上冷却套(62)靠近激光聚焦点一端设置抽气孔;所述上冷却套(62)内壁靠近抽气孔的位置设有堵气板(611);所述堵气板(611)与上冷却套(62)铰接,堵气板(611)靠近抽气孔一侧表面设置凸起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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