[发明专利]拓扑发光体异质相掺杂的MgB2 有效
| 申请号： | 201810462942.X | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108383531B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 赵晓鹏;李勇波;陈宏刚;陈国维 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/626;C09K11/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种拓扑发光体异质相掺杂的MgB |
||
| 搜索关键词： | 拓扑 发光体 异质相 掺杂 mgb base sub | ||
【主权项】：
1.拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体及其制备方法，其特征在于水热法制备得到三种掺杂剂：微米片m‑Y2O3:Eu3+/Ag，纳米片n‑Y2O3:Eu3+/Ag和n‑Y2O3:Eu3+/AgCl；异位掺杂法制备不同Ag含量以及不同质量分数的拓扑发光体异质相掺杂的MgB2基超导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810462942.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种ZrB
- 下一篇：一种致密化氮化硅陶瓷材料及其制备方法
