[发明专利]阳极结构制造方法、硅基OLED阳极结构及显示屏在审
| 申请号： | 201810462629.6 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108539056A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘金章;杨欣泽 | 申请（专利权）人： | 北京蜃景光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴迪 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的阳极结构制造方法、硅基OLED阳极结构及显示屏，涉及半导体光电技术领域。所述阳极结构制造方法包括：提供一衬底，其中，所述衬底为单晶硅；在所述衬底的一面制作CMOS阵列驱动电路；在所述CMOS阵列驱动电路远离所述衬底的一面制作阳极层，以形成包括衬底、CMOS阵列驱动电路以及阳极层的阳极结构，其中，所述阳极层包括氧化锡铟材料层、银材料层以及三氧化钨材料层。通过上述方法，可以改善通过采用现有技术制造的阳极结构存在性能不稳定以及空穴注入效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极结构 衬底 驱动电路 阳极层 材料层 硅基 制造 显示屏 光电技术领域 空穴注入效率 单晶硅 三氧化钨 氧化锡铟 银材料层 制作 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种阳极结构制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，其中，所述衬底为单晶硅；在所述衬底的一面制作CMOS阵列驱动电路；在所述CMOS阵列驱动电路远离所述衬底的一面制作阳极层，以形成包括衬底、CMOS阵列驱动电路以及阳极层的硅基OLED阳极结构，其中，所述阳极层包括氧化锡铟材料层、银材料层以及三氧化钨材料层。
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