[发明专利]Sn掺杂CsPbI3有效

专利信息
申请号: 201810461408.7 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN108557873B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 杨为佑;杜振涛;杨祚宝 申请(专利权)人: 宁波工程学院
主分类号: C01G21/00 分类号: C01G21/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 代理人: 洪珊珊
地址: 315000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种全无机钙钛矿光电材料的应用。Sn掺杂CsPbI3纳米带为CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带,其应用方法:将表面覆盖SiO2的Si基底分别在丙酮、乙醇和蒸馏水中超声处理,然后在紫外臭氧清洗剂中处理;将CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带分散在己烷中形成透明溶液,并滴在已处理的Si基底上;采用光刻、热蒸镀和剥离,在纳米带上依次沉积Au叉指电极,组装成纳米带光电探测器;将光电探测器作为工作器件,将其置于四探针测试平台上,利用半导体测试系统测试其光探性能。CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带可有效地应用在光电探测中,具有高性能和稳定性。
搜索关键词: sn 掺杂 cspbi base sub
【主权项】:
1.Sn掺杂CsPbI3纳米带在光电探测中的应用,其特征在于,所述的Sn掺杂CsPbI3纳米带为CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带。
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