[发明专利]一种高量子产率的双发射荧光碳点的制备方法及其在检测PFOS方面的应用有效

专利信息
申请号: 201810459565.4 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN108529592B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 谭克俊;朱盼盼 申请(专利权)人: 西南大学
主分类号: C01B32/15 分类号: C01B32/15;C09K11/65;G01N21/64
代理公司: 重庆华科专利事务所 50123 代理人: 康海燕
地址: 400715*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及纳米材料领域,具体涉及一种高量子产率的双发射荧光碳点的制备方法及其在检测PFOS方面的应用,其由2,4‑二氨基甲苯、乙二胺和磷酸通过水热法合成。该方法制备的碳点在波长为280nm和340nm光激发下,均能发射出两种波长的荧光,在280nm光的激发下,在350nm和515nm处有荧光发射;在340nm光的激发下,在434nm和502nm处有荧光发射,且两处发射中心的荧光量子产率均能达到44%以上。利用该碳点测定PFOS时,在两个激发波长下,碳点的两发射波长的荧光强度比率与PFOS的浓度均呈现线性关系,可以得出两个结果,并相互印证,增加了测定结果的准确性。
搜索关键词: 一种 量子 发射 荧光 制备 方法 及其 检测 pfos 方面 应用
【主权项】:
1.一种高量子产率的双发射荧光碳点的制备方法,其特征在于,由2,4‑二氨基甲苯、乙二胺和磷酸通过水热法合成。
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