[发明专利]一种SAR-ADC高位电容阵列的计算、校准方法有效
| 申请号： | 201810445464.1 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108599766B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李雷;赵喆;刘寅 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天软件有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/08 | 分类号： | H03M1/08;H03M1/10;H03M1/38 |
| 代理公司： | 11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种SAR‑ADC高位电容阵列的计算、校准方法，所述计算方法包括步骤：多次量化预计算的高位电容，并计算每次量化后预计算的高位电容的实际权值；计算每次量化后预计算的高位电容的实际权值的平均值，作为预计算的高位电容的实际权值。本发明的SAR‑ADC高位电容阵列的计算、校准方法，利用整个频域内均匀分布的电路本征噪声，对低位数ADC量化噪声频谱进行展频，从而实现高位数高精度的ADC量化噪声，并且在此过程中实现电容匹配校准。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 校准 预计算 电容阵列 量化 量化噪声频谱 电容匹配 量化噪声 高位数 本征 低位 频域 噪声 电路 | ||
【主权项】：
1. 一种SAR-ADC 高位电容阵列的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：/n量化预计算的高位电容，并计算每次量化后预计算的高位电容的实际权值；/n计算每次量化后预计算的高位电容的实际权值的平均值，作为预计算的高位电容的实际权值；/n所述计算每次量化后预计算的高位电容的实际权值的步骤包括以下步骤：/n量化预计算的高位电容后，计算预计算的高位电容的上级板的输出电压V
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