[发明专利]基于Nand Flash存储器阵列的数据校验方法在审
| 申请号： | 201810425329.0 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108845890A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 苏涛;马文锐;张锐波;张永振 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61218 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，公开了基于Nand Flash存储器阵列的数据校验方法。该方法包括：读取BCH码字，根据BCH码字计算伴随式校正子，利用伴随式校正子判断BCH码字中是否存在错误值，在确定BCH码字中存在错误值后，利用BM迭代算法得到错误多项式，并采用并行钱搜索电路求解错误多项式以确定BCH码字中错误值的位置，进而根据错误值的位置定位错误值并进行纠错，得到纠错后的BCH码字。本发明能够提高检测速度，实现对Nand Flash存储器阵列的快速、高精度的数据校验，从而保证Nand Flash存储器的存储控制器能够无差别读写Nand Flash存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 数据校验 错误多项式 伴随式 校正子 纠错 存储器技术领域 读取 存储控制器 钱搜索电路 迭代算法 位置定位 读写 求解 并行 检测 保证 | ||
【主权项】：
1.一种基于Nand Flash存储器阵列的数据校验方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，Nand Flash存储器阵列的存储控制器接收到读取命令后，根据所述读取命令读取所述Nand Flash存储器阵列对应地址存储的BCH码字；步骤2，所述存储控制器根据所述BCH码字计算得到2t个伴随式校正子，进而判断所述2t个伴随式校正子是否均为零；若所述2t个伴随式校正子均为零，则表示所述BCH码字中不存在错误值，执行步骤3；若所述2t个伴随式校正子中存在非零的伴随式校正子，则表示所述BCH码字中存在错误值，执行步骤4；其中，t表示纠错能力数；步骤3，所述存储控制器输出所述BCH码字；步骤4，所述存储控制器利用BM迭代算法求解错误多项式的系数，从而得到错误多项式；利用并行钱搜索电路求解所述错误多项式的根，根据所述错误多项式的根确定所述BCH码字中错误值的位置，进而根据所述错误值的位置定位错误值并进行纠错，得到纠错后的BCH码字，输出所述纠错后的BCH码字。
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