[发明专利]形成钨支柱的方法有效
| 申请号： | 201810410364.5 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108807264B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | A·B·玛里克;P·曼纳;陈一宏;段子青;程睿;江施施 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;金红莲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 支柱 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，所述处理方法包括：向基板表面提供图案化膜，所述图案化膜形成至少一个特征，所述至少一个特征从所述图案化膜的顶表面向底表面延伸一定深度，所述至少一个特征具有由第一侧壁和第二侧壁限定的宽度；在所述图案化膜上沉积膜以填充所述至少一个特征并在所述图案化膜的所述顶表面上方延伸；使所述膜凹入来使所述膜的顶部降低到等于或低于所述图案化膜的所述顶表面的高度以形成凹入膜；将所述凹入膜转化为钨膜；和使所述钨膜膨胀以形成从所述至少一个特征延伸的支柱。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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