[发明专利]一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 201810409972.4 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108615892B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 程鑫;卢周广;李志强;张腾飞;黄兴隆;张雨 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/64 | 分类号： | H01M4/64;H01M4/66;H01M4/78;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长的改性集流体、其制备方法及用途，属于电池技术领域。本发明提供了一种新型结构的改性集流体，该改性集流体包括导电基底及位于所述导电基底表面的绝缘材料层，所述绝缘材料层具有凹陷结构(比如凹坑结构和/或凹槽结构，尤其是微纳级别的凹坑和/或凹槽)且凹陷结构处穿透绝缘材料层以暴露导电基底，通过采用该特定结构的改性集流体制备的负极，可以有效抑制锂金属电池枝晶不可控生长，避免了刺穿电池隔膜的现象，提高了锂电池的性能。本发明采用的微纳加工技术，工艺成熟稳定，可实现图形尺寸的精确控制，从纳米级到微米级别的图案均可制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 抑制 金属 电池 枝晶不 可控 生长 改性 流体 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种改性集流体，其特征在于，所述改性集流体包括导电基底以及位于所述导电基底表面的绝缘材料层；其中，所述绝缘材料层具有凹陷结构，且凹陷结构处穿透绝缘材料层以暴露导电基底。
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