[发明专利]一种工作在亚阈区的高精度电流检测电路

摘要

一种工作在亚阈区的高精度电流检测电路，属于模拟集成电路技术领域。包括采样单元、检测单元和动态偏置单元，采样单元用于采样待检测电流，待检测电流流过第二PMOS管引起第二PMOS管漏端电压的改变；检测单元利用第一PMOS管将第二PMOS管的电流复制，再通过将待检测电流反应到第一电阻两端电压上实现电流检测，动态偏置单元将待检测电流无损耗的传送到检测单元，通过引入电压反馈和电流反馈，保证A点电压随B点电压动态变化，并控制MOS管工作在亚阈区，一方面降低了功耗，另一方面减少了电流流失，提高了检测精度。

主权项

1.一种工作在亚阈区的高精度电流检测电路，包括采样单元、检测单元和动态偏置单元，所述采样单元包括第二PMOS管(MP2)，第二PMOS管(MP2)的漏极连接待检测电流，其栅极接地，其源极连接电源电压；所述检测单元包括第一PMOS管(MP1)、第九PMOS管(MP9)和第一电阻(R1)，第一PMOS管(MP1)的栅极接地，其源极连接电源电压，其漏极连接第九PMOS管(MP1)的源极；第一电阻(R1)接在第九PMOS管(MP9)的漏极和地之间；其特征在于，所述动态偏置单元包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第八PMOS管(MP8)，第七PMOS管(MP7)的栅漏短接并连接第八PMOS管(MP8)的栅极和第一NMOS管(MN1)的漏极，其源极连接第六PMOS管(MP6)的栅极、第四PMOS管(MP4)的漏极和所述检测单元中第九PMOS管(MP9)的源极；第八PMOS管(MP8)的源极连接第五PMOS管(MP5)的漏极和所述采样单元中第二PMOS管(MP2)的漏极，其漏极连接第二NMOS管(MN2)的漏极和所述检测单元中第九PMOS管(MP9)的栅极；第三PMOS管(MP3)的栅漏短接并连接第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的栅极以及第六PMOS管(MP6)的源极，其源极连接第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的源极并连接电源电压；第三NMOS管(MN3)的栅漏短接并连接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的栅极以及第六PMOS管(MP6)的漏极，其源极连接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的源极并接地；第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)工作在亚阈区。