[发明专利]一种工作在亚阈区的高精度电流检测电路

权利要求书

1.一种工作在亚阈区的高精度电流检测电路，包括采样单元、检测单元和动态偏置单元，

所述采样单元包括第二PMOS管(MP2)，第二PMOS管(MP2)的漏极连接待检测电流的正端，其栅极接地，其源极连接电源电压；待检测电流的负端接地，待检测电流流过第二PMOS管(MP2)引起第二PMOS管(MP2)漏端电压的改变；

所述检测单元包括第一PMOS管(MP1)、第九PMOS管(MP9)和第一电阻(R1)，第一PMOS管(MP1)的栅极接地，其源极连接电源电压，其漏极连接第九PMOS管(MP1)的源极；第一电阻(R1)接在第九PMOS管(MP9)的漏极和地之间；

其特征在于，所述动态偏置单元包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第八PMOS管(MP8)，

第七PMOS管(MP7)的栅漏短接并连接第八PMOS管(MP8)的栅极和第一NMOS管(MN1)的漏极，其源极连接第六PMOS管(MP6)的栅极、第四PMOS管(MP4)的漏极和所述检测单元中第九PMOS管(MP9)的源极；

第八PMOS管(MP8)的源极连接第五PMOS管(MP5)的漏极和所述采样单元中第二PMOS管(MP2)的漏极，其漏极连接第二NMOS管(MN2)的漏极和所述检测单元中第九PMOS管(MP9)的栅极；

第三PMOS管(MP3)的栅漏短接并连接第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的栅极以及第六PMOS管(MP6)的源极，其源极连接第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的源极并连接电源电压；

第三NMOS管(MN3)的栅漏短接并连接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的栅极以及第六PMOS管(MP6)的漏极，其源极连接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的源极并接地；

第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)工作在亚阈区。

2.根据权利要求1所述的工作在亚阈区的高精度电流检测电路，其特征在于，所述第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)和第九PMOS管(MP9)的衬底连接电源电压。