[发明专利]一种可调控电场分布及透射强度的光学器件及其调控方法在审

专利信息
申请号: 201810402547.2 申请日: 2018-04-28
公开(公告)号: CN108519686A 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 赵文静 申请(专利权)人: 西安柯莱特信息科技有限公司
主分类号: G02F1/00 分类号: G02F1/00;G02B5/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安市高新区高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明属于光学器件技术领域,具体涉及一种可调控电场分布及透射强度的光学器件及其调控方法,包括一互相连接的基底层和单层结构,单层结构由多个结构相同的周期单元平面拼接而成,每个周期单元由第一矩形块、第二矩形块和第三矩形块拼接而成,第一矩形块、第二矩形块和第三矩形块的短边互相平行,且沿x方向依次拼接,第一矩形块和第三矩形块由贵金属制成,第二矩形块由金属Mg制成。该结构可以通过吸氢和脱氢反应改变第二矩形块的材料性质,从而实现调节电场分布和透射强度的调控。该结构为单层平面结构,制备和使用方法简单方便,易于操作,可根据使用者的目标实现不同的功能及效果。
搜索关键词: 矩形块 电场分布 光学器件 透射 单层结构 周期单元 可调控 拼接 调控 单层平面结构 材料性质 互相连接 互相平行 目标实现 平面拼接 脱氢反应 贵金属 基底层 短边 吸氢 制备 金属
【主权项】:
1.一种可调控电场分布及透射强度的光学器件包括一互相连接的基底层和单层结构,所述单层结构由多个结构相同的周期单元平面拼接而成;其特征在于:每个周期单元由第一矩形块、第二矩形块和第三矩形块拼接而成;所述的第一矩形块、第二矩形块和第三矩形块的短边互相平行,且沿x方向依次拼接;所述的第一矩形块和第三矩形块由贵金属制成,第二矩形块由金属Mg制成。
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