[发明专利]一种基于甲基吡咯烷阳离子的聚合物阴离子膜的制备方法

摘要

本发明属于新材料及膜技术领域，提供了一种基于甲基吡咯烷的聚合物阴离子交换膜的制备方法。该制备方法包含以下步骤：(1)将PVBC、MPy和PEK‑cardo分别溶解在极性有机溶剂中，加热且搅拌至完全溶解；(2)将MPy溶液和PEK‑cardo增强型聚合物溶液和PVBC溶液混合，加热搅拌得到均一透明溶液；(3)采用溶液浇铸法得到复合膜材料；(4)将上述复合膜完全浸泡在1mol/L KOH溶液中进行碱交换后，用大量去离子水冲洗后得到阴离子交换膜。本发明中通过调控PEK‑cardo在膜中的含量，实现了电导率与机械性能之间的平衡。

主权项

1.一种甲基吡咯烷阳离子的聚合物阴离子膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在30～60℃条件下，将PVBC、MPy和PEK‑cardo分别加入到极性有机溶剂，搅拌溶解，得到透明的质分数为1～3％的PVBC、MPy和PEK‑cardo溶液；(2)将PVBC溶液和MPy溶液以摩尔比1:1混合，磁力搅拌30min，进而向混合溶液中加入增强聚合物PEK‑cardo溶液，继续搅拌得到透明均一的铸膜溶液，其中PEK‑cardo占PEK‑cardo与PVBC之和的质量比为0.15～0.50:1；(3)采用溶液浇铸法制备复合膜材料，其中成膜过程为60‑100℃温度下挥发溶剂，成膜时间为12～48小时；(4)将上述复合膜材料于室温下完全浸泡在1mol/L KOH溶液中的进行碱交换，浸泡24～72小时后，用去离子水将膜表面的KOH除去，得到氢氧型的基于甲基吡咯烷阳离子的聚合物阴离子交换膜。