[发明专利]一种高增益毫米波圆极化介质谐振器阵列天线有效

专利信息
申请号: 201810361859.3 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN108598696B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 翁子彬;刘一廷;张立;焦永昌 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/24
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 陈宏社;王品华
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提出了一种高增益毫米波圆极化介质谐振器阵列天线,用于解决现有毫米波圆极化介质谐振器阵列天线增益较低的技术问题,包括介质基板、印制在介质基板上表面的第一金属地板和下表面的第二金属地板;第一金属地板与第二金属地板之间通过基片集成波导矩形腔体连接,该基片集成波导馈电结构由设置在介质基板上的多个金属化过孔组成;第一金属地板位于基片集成波导馈电结构内的区域划分为n×n个馈电单元,n≥2,每个馈电单元上蚀刻有矩形耦合缝隙,在缝隙所在位置固定有两个介质块层叠而成的介质谐振器天线单元;介质基板上设置有用于安装同轴线的过孔。本发明适用于5G毫米波通信系统。
搜索关键词: 一种 增益 毫米波 极化 介质 谐振器 阵列 天线
【主权项】:
1.一种高增益毫米波圆极化介质谐振器阵列天线,包括介质基板(1)、印制在介质基板(1)上表面的第一金属地板(2)和下表面的第二金属地板(3);所述第一金属地板(2)与第二金属地板(3)之间通过基片集成波导馈电结构连接,该基片集成波导馈电结构由设置在介质基板(1)上的多个金属化过孔(11)组成;所述第一金属地板(2)位于基片集成波导馈电结构内的区域划分为多个馈电单元(21),每个馈电单元(21)上蚀刻有矩形耦合缝隙(211),在矩形耦合缝隙(211)所在位置固定有辐射单元(4);所述介质基板(1)上设置有用于安装同轴线的过孔;其特征在于,所述基片集成波导馈电结构为矩形腔体;所述第一金属地板(2)位于基片集成波导馈电结构内的区域划分为n×n个馈电单元(21),n≥2;所述辐射单元(4)采用由两个介质块(41)层叠而成的介质谐振器天线单元,用于实现高增益和圆极化的特性。
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