[发明专利]一种全钨面向等离子体样品台有效
| 申请号： | 201810352255.2 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108844567B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘东平;张洋 | 申请（专利权）人： | 大连民族大学 |
| 主分类号： | G01D11/30 | 分类号： | G01D11/30;G01D11/00 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 116600 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及耐高温高密度等离子体领域，具体属于一种全钨面向等离子体样品台。主要技术方案如下：包括全钨等离子体屏蔽保护罩、真空水冷系统、负偏压系统；所述的全钨等离子体屏蔽保护罩由钨栅极板和全钨保护罩真空氩弧焊接而成，所述的全钨保护罩上方设有样品孔，所述的钨栅极板设有气孔；所述的真空水冷系统包括钨铜块、铜铬锆管、真空不锈钢转接头、不锈钢管，所述的钨铜块设有通孔，所述的铜铬锆管穿过钨铜块的通孔并真空氩弧焊接，所述的铜铬锆管与不锈钢管通过真空不锈钢转接头连接。本发明提供的全钨面向等离子体样品台为实现研究聚变条件下第一壁材料的性能提供了可靠有力的帮助。能够在高温高密度等离子体环境下长时间稳态运行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 面向 等离子体 样品 | ||
【主权项】：
1.一种全钨面向等离子体样品台，其特征在于，包括全钨等离子体屏蔽保护罩(1)、真空水冷系统(2)、负偏压系统(3)；所述的全钨等离子体屏蔽保护罩(1)由多孔钨栅极板(12)和全钨保护罩(11)真空氩弧焊接而成，所述的全钨保护罩(11)上方设有样品孔(14)，所述的钨栅极板(12)设有气孔(13)；所述的真空水冷系统(2)包括钨铜块(22)、铜铬锆管(21)、真空不锈钢转接头(23)、不锈钢管(24)，所述的钨铜块(22)设有通孔，所述的铜铬锆管(21)穿过钨铜块(22)的通孔并真空氩弧焊接，所述的铜铬锆管(21)与不锈钢管(24)通过真空不锈钢转接头(23)连接；所述的真空水冷系统(2)通过聚四氟乙烯真空卡箍(4)连接到腔体外部；所述的负偏压系统(3)包括不锈钢环(31)和负偏压引出线(32)，所述的不锈钢环(31)将负偏压引出线(32)固定在不锈钢管(24)外侧。
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