[发明专利]一种全钨面向等离子体样品台有效

专利信息
申请号: 201810352255.2 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN108844567B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 刘东平;张洋 申请(专利权)人: 大连民族大学
主分类号: G01D11/30 分类号: G01D11/30;G01D11/00
代理公司: 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 代理人: 李楠
地址: 116600 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 面向 等离子体 样品
【权利要求书】:

1.一种全钨面向等离子体样品台,其特征在于,包括全钨等离子体屏蔽保护罩(1)、真空水冷系统(2)、负偏压系统(3);

所述的全钨等离子体屏蔽保护罩(1)由多孔钨栅极板(12)和全钨保护罩(11)真空氩弧焊接而成,所述的全钨保护罩(11)上方设有样品孔(14),所述的钨栅极板(12)设有气孔(13);

所述的真空水冷系统(2)包括钨铜块(22)、铜铬锆管(21)、真空不锈钢转接头(23)、不锈钢管(24),所述的钨铜块(22)设有通孔,所述的铜铬锆管(21)穿过钨铜块(22)的通孔并真空氩弧焊接,所述的铜铬锆管(21)与不锈钢管(24)通过真空不锈钢转接头(23)连接;所述的真空水冷系统(2)通过聚四氟乙烯真空卡箍(4)连接到腔体外部;

所述的负偏压系统(3)包括不锈钢环(31)和负偏压引出线(32),所述的不锈钢环(31)将负偏压引出线(32)固定在不锈钢管(24)外侧。

2.如权利要求1所述的全钨面向等离子体样品台,其特征在于,所述的气孔(13)为圆形。

3.如权利要求1所述的全钨面向等离子体样品台,其特征在于,所述的负偏压引出线(32)连接外部直流负偏压电源。

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