[发明专利]一种高电子透过率的冷阴极X射线管栅极结构及制作方法有效
| 申请号： | 201810347540.5 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108447754B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 朱卓娅;高万里;雷威;张晓兵;刘金虎;李劲生 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J35/04 | 分类号： | H01J35/04;H01J9/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 石艳红 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子透过率的冷阴极X射线管栅极结构及制作方法，包括栅极法兰、铜网、金属栅极片、栅极套筒、阴极底座和阴极发射材料；栅极法兰设有法兰中心通孔和法兰凹槽；铜网嵌套在法兰凹槽中，铜网的一侧包覆有纳米级厚度的碳膜；金属栅极片设在铜网的下方，金属栅极片与栅极法兰相连接，套筒内腔中设有阴极底座，阴极底座通过陶瓷垫片与栅极套筒可拆卸连接；阴极底座的高度能够调整，阴极底座的顶部设有阴极发射材料。本发明采用覆盖有碳膜的铜栅网作为栅极，采用碳纳米管为阴极发射材料，改进了因栅网网孔处电场下降带来的发射效率降低的问题，并提升了阴极发射电子在栅极处的透过率，从而增大了阳极电流。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极底座 铜网 阴极发射材料 金属栅极 法兰 电子透过 法兰凹槽 栅极结构 冷阴极 碳膜 套筒 嵌套 阴极发射电子 可拆卸连接 电场 发射效率 法兰中心 碳纳米管 陶瓷垫片 套筒内腔 阳极电流 纳米级 铜栅网 透过率 包覆 通孔 制作 覆盖 改进 | ||
【主权项】：
1.一种高电子透过率的冷阴极X射线管栅极结构，其特征在于：包括栅极法兰、铜网、金属栅极片、栅极套筒、阴极底座和阴极发射材料；栅极法兰以同轴可拆卸连接的方式盖合在栅极套筒的正上方；栅极套筒具有竖向设置的套筒内腔，栅极法兰的中心设置有与套筒内腔同轴的法兰中心通孔；朝向栅极套筒一侧的栅极法兰上设置有法兰凹槽，法兰凹槽与法兰中心通孔相连通；铜网嵌套在法兰凹槽中，铜网的一侧包覆有纳米级厚度的碳膜；金属栅极片设置在铜网的下方，金属栅极片与栅极法兰相连接，金属栅极片的中心设置有与法兰中心孔同轴的金属片中心通孔；套筒内腔中设置有阴极底座，阴极底座通过陶瓷垫片与栅极套筒可拆卸连接；阴极底座的高度能够调整，阴极底座的顶部设置有与金属片中心通孔同轴的阴极发射材料。
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