[发明专利]一种高压晶片的穿通扩散工艺及其中刻蚀气体的混合装置

摘要

一种高压晶片的穿通扩散工艺及其中刻蚀气体的混合装置。涉及一种新型的半导体二极管扩散工艺，尤其涉及一种在高压产品的穿通扩散工艺的改进。提出了一种逻辑清晰、步骤有序且加工效率高，使用时可对高电性能、大厚度的晶片进行高效穿通的高压晶片的穿通扩散工艺及其中刻蚀气体的混合装置。按以下步骤进行加工：步骤1）中SiO2阻挡层的厚度为10000‑30000A。步骤4）穿通预处理：在晶片的一侧端面上通过激光打出位于扩散窗口中的若干均匀分布的深槽，所述深槽的深度为200‑250um、且直径为20‑60um，相邻深槽的间距为20‑30um。步骤4）穿通预处理：在晶片的两侧端面上刻蚀出位于扩散窗口中的沟槽，单侧刻蚀的深度为50‑80um。本发明从整体上具有逻辑清晰、步骤有序以及加工效率高等优点。

主权项

1.一种高压晶片的穿通扩散工艺，其特征在于，按以下步骤进行加工：1）、晶片氧化：在晶片两层生长出SiO2阻挡层；2）、打胶：在两所述SiO2阻挡层背向晶片的端面上打上光刻胶，所述光刻胶中具有镂空的预设图案；3）、开扩散窗口：沿光刻胶的镂空部分在SiO2阻挡层上刻蚀出与预设图案适配的扩散窗口；4）、穿通预处理：在晶片的至少一侧端面上刻蚀出位于扩散窗口中的沟槽，或是在晶片的至少一侧端面上通过激光打出位于扩散窗口中的若干均匀分布的深槽；5）、穿通扩散：分别自晶片两侧的扩散窗口向晶片中扩散P，并使得两侧扩散的P相连通；完毕。