[发明专利]一种高纯高强氧化铝陶瓷及其低温制备方法有效
申请号: | 201810336441.7 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN108530041B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 税安泽;高小云;李海洋;马娟;李剑桥;陈为为 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/64 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈智英 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明属于氧化铝陶瓷的技术领域,公开了一种高纯高强氧化铝陶瓷及其低温制备方法。所述方法:(1)将Al |
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搜索关键词: | 一种 高纯 高强 氧化铝陶瓷 及其 低温 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高纯高强氧化铝陶瓷的低温制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将Al2O3粉体与添加剂混合进行湿法球磨,制备氧化铝料浆;(2)将步骤(1)中的料浆进行造粒,制备原料粉体;(3)将步骤(2)中的原料粉体压制成型,制备坯体;(4)将步骤(3)的坯体在850‑1250℃下烧成,制得高纯高强氧化铝陶瓷;步骤(1)中所述添加剂为烧结助剂;所述烧结助剂为TiO2、MnO2、Cu粉、Fe粉、Al粉中的一种以上。
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